ROM 简记

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李锐博恩 发表于 2021/07/15 08:28:26 2021/07/15
【摘要】 ROM(Read Only Memory),即只读存储器,由于其在掉电后数据不会丢失,因此在早期的时候,ROM芯片中的内容一般都是在生产的时候被烧写进去的,然后终生具有这些固定的内容。不过,随着技术的不断发展和革新,现在很多型号的ROM都已经可以被多次修改了,但是大家仍然习惯对其沿用“只读存储器”的称号。 一些典型的ROM芯片如下: PROM(Programmable R...

ROM(Read Only Memory),即只读存储器,由于其在掉电后数据不会丢失,因此在早期的时候,ROM芯片中的内容一般都是在生产的时候被烧写进去的,然后终生具有这些固定的内容。不过,随着技术的不断发展和革新,现在很多型号的ROM都已经可以被多次修改了,但是大家仍然习惯对其沿用“只读存储器”的称号。

一些典型的ROM芯片如下:

PROM(Programmable Read Only Memory),即可编程只读存储器,不过它也只能被程序写一次,以后就只能保存和使用这些数据了,所以PROM也称为一次可编程存储器。

EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory),即可擦除可编程只读存储器。它解决了PROM只能编程一次的问题,不过其存储内容的擦除必须借助紫外线的长时间照射才能完成,所以EPROM又叫紫外线擦除可编程只读存储器。

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory),即电可擦除可编程只读存储器。它克服了EPROM在擦除时较为麻烦的问题,可以直接通过计算机程序对其进行重复的擦写,其擦除、重写的原理是通过使用高于常规的操作电压实现的。对于EEPROM来说,最重要的参数指标就是寿命问题,也就是可擦写的次数。

Flash,即闪存,是具有长寿命和非易失性的存储器。Flash是EEPROM的一种特殊形式,也成变种。因为EEPROM的擦除和重写都是针对整个芯片而言的,但Flash的数据删除和重写则是以块(块的容量一般在256KB~20MB之间)为单位的,因此Flash的更新速度要远比EEPROM快不过由于数据的删除和重写不是以单个字节为单位的,因此Flash仍不能达到RAM的要求。Flash又分为NOR型和NAND型两个大类,其中NOR型具有独立的地址线和数据线,适合频繁的随机读、写场合,适合程序代码的存储和直接运行,但容量通常较小,价格也比较贵;而NAND型的地址线和数据线是公用的,因此其本身的操作速度和频率就会偏低,但是容量相对较大,且价格也要便宜,所以适合大量资料的存储。

文章来源: reborn.blog.csdn.net,作者:李锐博恩,版权归原作者所有,如需转载,请联系作者。

原文链接:reborn.blog.csdn.net/article/details/82755999

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