IC/FPGA笔试/面试题分析（十）CMOS门电路

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CMOS介绍

CMOS非门

CMOS与非门

CMOS或非门

CMOS或门

CMOS与门

CMOS与或式

CMOS或与非

CMOS介绍

MOS管分为NMOS和CMOS，二者成对出现在电路中，且二者在工作中互补，构成CMOS管；

MOS管有增强型和耗尽型，数字电路中，多采用增强型MOS管。

如何识别MOS管的三个极，例如G（栅极），D（漏极），S（源极）：（MOS管原理）？

MOS管何时导通？

如何画一个PNOS或一个NMOS？

CMOS非门

第一个CMOS门电路：

CMOS反相器：

如何构成一个反相器的呢？

从上图可以看出，下面是一个NMOS，上面是一个PMOS，当输入VI为低电平（0）时，由于Vgs1为0，下方NMOS不导通（内阻很高，相当于断路），而对于上方PMOS，Vgs2 = - Vdd，导通了（相当于短路），所以输出为高电平，相当于对输入取反了。

同理，当VI为高电平（Vdd），则由于下方NMOS的Vgs1为Vdd，所以导通，而上方PMOS，由于Vgs2 = 0，所以截止，固输出为低电平0.

综上：无论Vi为高电平还是低电平，NMOS和PMOS总是工作在一个截止一个导通，即互补状态，所以把这种电路结构形式成为CMOS。

CMOS与非门

上方为PMOS，采用并联连接；

下方为NMOS，采用串联链接；

对于上方PMOS，A和B任一个为低，会导通；对于下部NMOS，A和B任一个为低，都会截止，因此输出为高电平；

如果A和B都为高电平，则上方PMOS截止，下方NMOS都导通，则输出相当于接地，因此输出为低电平。

综上，完成了与非门的作用。

两输入的与非门可以画了，三输入的与非门自然不在话下：

上并下串结构：

CMOS或非门

如果与非门记忆为上并下串，则这个或非门则为上串下并，且上方均为PMOS，下方均为NMOS；

如果A和B均为0，则下方截止，上方两个PMOS均导通，则输出为高电平；

只要A和B有一个为高电平，则上方PMOS截止有一个截止，下方NMOS有一个导通，由于NMOS为并联，所以输出Y为低电平。

综上所述，为一个或非门。

CMOS或门

我们知道了CMOS或非门比较简单，就是上串下并，而且非门的CMOS电路也知道了上PMOS下NMOS的串联，那么或门自然不在话下了。

CMOS与门

同理，与门是一个与非门加一个非门得到，如下：

CMOS与或式

用CMOS门画出门电路A(B+C)

这就比上面一些更加复杂了一点，我们上面画的或门，与门以及非门都是为各种组合打基础的。

更确切的说：

最基础的为非门（上P下N），与非（上并下串），或非门（上串下并），

之后由与非和非门结合获得与门；或非与非结合获得或门；

之后或门和与门结合获得与或门；

下面的画法也是这种思路。

CMOS或与非

同上，不在话下。

最后给出一些参考资料，供查阅：CMOS门电路

文章来源: reborn.blog.csdn.net，作者：李锐博恩，版权归原作者所有，如需转载，请联系作者。

原文链接：reborn.blog.csdn.net/article/details/100659089