栅极电容

此结构就是上一次的介绍的内容。

双稳态触发器

双稳态触发器使用的是6个MOS管，这个就相对于栅极电容造价更高，集成度更低，但是更加稳定，速度更快，所以适用于Cache。
当进行的读操作时候，将字选择线通电，然后在BL和BLX两端检测低电平，读出0时候,BL是低电平，读出1时候，BLX是低电平。
当进行写操作时候，将字选择线通电，A高B低位1，A低B高为0。

DRAM和SRAM比较

DRAM刷新

栅极电容存储时候有一个弊端就是2ms时间，电容就会消失散尽，所以要不断地对电容进行刷新操作。
刷新周期：一半是2ms
每次刷新多少存储单元：每次刷新一行存储单元
改用行列存储的方式。


三种刷新方式：

DRAM地址复用技术

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