单片机小知识总结

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ReCclay 发表于 2022/02/22 01:47:44 2022/02/22
【摘要】 ①RST复位电路 51单片机是高电平复位,低电平正常工作 上电瞬间以及按下按键(电容相当于导线),RST为高电平。 按键按下的瞬间会产生大电流冲击,会局部产生较大的电磁干扰。为了减小这种干...

①RST复位电路

单片机复位电路

51单片机是高电平复位,低电平正常工作
上电瞬间以及按下按键(电容相当于导线),RST为高电平。
按键按下的瞬间会产生大电流冲击,会局部产生较大的电磁干扰。为了减小这种干扰,加一个一个限流电阻。

②有关RAM和FLASH

STC89C52RC系列单片机有512B的RAM以及8K的Flash(程序存储空间)

RAM就是平时存储变量的,比如你定义了一个什么bit、uint8、 uint16 、uint32等等这些都是在RAM中定义的。
512B的RAM虽然名字一样,但是在物理结构以及用法是有区别的。
沿袭老8051单片机的叫法,依旧叫为片内RAM和片外RAM。所谓的片内和片外是指芯片内部和芯片外部,但是现在的单片机的芯片拓展基本上都在内部,不存在什么片外拓展RAM。但是我们仍依旧这么叫,知道这回事就行了。

片内RAM分为 data、idata一般我们直接定义的变量都是直接在data里面的,data是直接寻址的,是速度最快的。而其他都是通过寄存器间接寻址的,其速度当然不可同日而语。
其中data的范围是从片内的0x00~0x7F共128字节
而idata范围是从片内的0x80~0xFF也是128B但是它同时不用来存储变量,当然也不希望程序能访问到这里,它主要的用途就是用来中断与函数的调用。

片外RAM分为pdata、xdata如上所述,均是通过寄存器来间接寻址的。
pdata的寻址范围是片外的0x00~0xFF共256B。寻址速度相对来讲比xdata快
xdata的寻址范围是片尾的0x0000~0xFFFF共64K。寻址范围最广,如要使用还得专门配置两个字节寄存器DPTRH和DPTRL,寻址范围的广,也就意味着速度是最慢的。

所以呢,总结一下就是:一般变量存储在data区域,当data不够了,在去寻xdata区域,idata不要触碰。pdata不到万不得已也不要!!!

看似高字节拓展的128RAM是和寄存器的地址相重叠,但是物理上并不重叠
这里写图片描述

③三极管

用途主要有:驱动和控制两个
三极管的特性:截止、饱和、放大。
(在数电中主要用到的是三极管的开关作用,用到的是截止和饱和特性(有一个β因数)。而在模电当中用到的是则是它的放大特性)

三极管的控制作用
三极管实现电压转换(5V控制12V)
三极管的驱动作用

④按字节编码寻址以及按字编码寻址

按字节编码寻址,1M = 2^20B 而 1B=8bit所以2^20B/1B = 2^20
可寻地址为1~2^20-1
需要二十根总线

按字编码寻址,1字的4B,其他同上,那么2^20/1字=2^20/4B=2^18
可寻地址为1~2^18-1
需要十八跟总线

对了,除此之外还要注意一个东西,就是MB和M的区别
MB是一个容量单位,兆字节
而M是一个数量单位,兆

LED压降为2V,工作电流1~20mA**一般在1~5,mA之内的变化可以直接体现在灯的亮程度,超过5mA就没那么明显了所以选取的串联电阻可以选**150欧~3K

⑤三八译码器快速记住对应的,其实左边三个可以看成二进制是几,对应的右边哪一位就是0

比如左边A2 A1 A0为0 0 0那么右边Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 对应的值就是 0 1 1 1 1 1 1 1

⑥关于IO口
IO口有四种状态,准双向,开漏,强推挽,高阻

应用最多的得数准双向和开漏了,两者的主要区别就是开漏内部是没有上上拉电阻的。51单片机的P0默认就是开漏,而其他口均是准双向IO对于P0在自己DIY小电路的时候切记不要忘了加外部加上拉电阻!
对于准双向IO要特别注意:51单片机的一个重要知识准双向IO口,如果要正确读取外部信号的状态,首先必须保证自己是高电平

⑦上拉电阻和下拉电阻

上拉电阻的主要应用场合有:
OC门即是开漏输出
需要增大电流输出时,加一个上拉相当于并联一个电阻。
也能起到限流作用,如5V转12V系统
抵抗EMI(电磁干扰)

sbit
sbit用于定义单字节可位寻址对象的某位,“单字节可位寻址”包括可位寻址特殊功能寄存器和RAM中可位寻址区的16个字节。

bata 关键字可将变量定位到内部的RAM的可位寻址。
eg:

char bdata bittest;
sbit RIbit = bittest^0;
sbit TIbit = bittest^1;
sbit P1_0 = P1^0;
  
 
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⑧ 有关IO口拉成高电平的总结

通常我们会遇到在普通的准双向IO口下,出现IO口拉不到高电平的情况。这个时候怎么办呢?
尝试所有的IO口状态,有的比较特殊,比如IO口外接上上拉电阻,必须开漏才能拉成高电平。
单片机是否速度过快,可以适当延时。。

⑨关于继电器

模块接口:
1、DC+:接电源正极(电压按继电器要求,有5V.9V.12V和24V选择)
2、DC-:接电源负极
3、IN:可以高或低电平控制继电器吸合
继电器输出端:
1、NO: 继电器常开接口,继电器吸合前悬空,吸合后与COM短接
2、COM:继电器公用接口
3、NC: 继电器常闭接口,继电器吸合前与COM短接,吸合后悬空

高低电平触发*选择端:*

1.跳线与LOW短接时为低电平触发;

2.跳线与high短接时为高电平触发。

这里写图片描述

⑩、关于DS18B20的引脚

简而言之,就是。平面面向自己以后,三个脚分别是GND、VOUT和VCC

上张图明白一切
这里写图片描述

11、DHT11

DHT11 是一款含有已校准单总线数字信号输出的温湿度复合传感器,它包括一个电阻式感湿
元件和一个 NTC 测温元件,并与一个高性能 8 位单片机相连接。DHT11 是属于民用型器件,测量
值仅精确到个位,即小数点后无数据,如果要使用于工业产品或更精确的应用,建议使用 DHT21
或 SHT10。

这里写图片描述

注意的是那个NA或者NC引脚,表示是空引脚。

文章来源: recclay.blog.csdn.net,作者:ReCclay,版权归原作者所有,如需转载,请联系作者。

原文链接:recclay.blog.csdn.net/article/details/75224569

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