电子线路中的二极管

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tsinghuazhuoqing 发表于 2022/02/12 22:09:53 2022/02/12
【摘要】   §01 基础知识 1.1 基本特性 1.1.1 基本工作原理   下图中给出了二极管的电路图符号。二极管稳态流过电流 ...

 

§01 础知识


1.1 基本特性

1.1.1 基本工作原理

  下图中给出了二极管的电路图符号。二极管稳态流过电流 I F I_F IF 与两端电压 V D V_D VD 之间的满足单向导电特性:即从阳极(正极)到阴极(负极)施加正向电压时,有电流流通,反向几乎无电流流通。

▲ 图1.1.1 二极管的符号

▲ 图1.1.1 二极管的符号

V D = k T q ln ⁡ ( I F I R ) V_D = {{kT} \over q}\ln \left( {{{I_F } \over {I_R }}} \right) VD=qkTln(IRIF)

式中:
   q:电子电荷( 1.603 × 1 0 − 19 1.603 \times 10^{ - 19} 1.603×1019 C);
   k:玻尔兹曼常数( 1.381 × 1 0 − 23 J / K 1.381 \times 10^{ - 23} J/K 1.381×1023J/K );
   T:温度(K);
   IR:反向饱和电流(A);
例如: 1SS120在 T = 25 T = 25 T=25 ℃, I F = 1 m A I_F = 1mA IF=1mA 时, V D = 0.6 V V_D = 0.6V VD=0.6V I R = 7.166 × 1 0 − 14 A I_R = 7.166 \times 10^{ - 14} A IR=7.166×1014A

▲ 图1.1.2 二极管特性

▲ 图1.1.2 二极管特性

V F V_F VF :正向电压; I F I_F IF :正向电流; V R V_R VR:反向电压; I R I_R IR :反向电流

等效电阻 R O R_O RO 为: R O = d V F d I F = k T q ( − ln ⁡ I R ) d ln ⁡ I F d I F = k T q ( − ln ⁡ I R ) 1 I F R_O = {{dV_F } \over {dI_F }} = {{kT} \over q}\left( { - \ln I_R } \right){{d\ln I_F } \over {dI_F }} = {{kT} \over q}\left( { - \ln I_R } \right){1 \over {I_F }} RO=dIFdVF=qkT(lnIR)dIFdlnIF=qkT(lnIR)IF1
ISS120在25℃时: R o ≈ 0.777 / I F ( Ω ) R_o \approx 0.777/I_F \left( \Omega \right) Ro0.777/IF(Ω)

  下图给出了硅PN结小信号开关二极管 1SS120、 肖特基势垒二极管1SS108 的正向与反向电流电压特性。通过对比可以看到肖特基二极管(SBD)正向电压在1mA以下小电流区域非常小;硅二极管1SS120反向电流非常小可以忽略,相比起来1SS108反向电流比较大。

▲ 图1.1.3 1SS120正向与反向V-A特性

▲ 图1.1.3 1SS120正向与反向V-A特性

▲ 图1.1.4 1SS108正向与反向电压与电流特性

▲ 图1.1.4 1SS108正向与反向电压与电流特性

1.1.2 频率特性与用途

  根据不同特性和用途二极管分为各种类型,下表给出了实验中的各种二极管特性。

【表1-1-2 试验用二极管特性】

序号 型号 VR IF 用途
1 DSK10E 400V 1A 一般整流
2 ERA83-004 40V 1A 高速整流用SBD
3 1SS120 60V 150mA 高速开关
4 1SS108 30V 10mA 高速开关用SBD

  按照下面电路搭建测试电路,测量相应的二极管的特性。

▲ 图1.1.5 观察二极管特性的实验电路

▲ 图1.1.5 观察二极管特性的实验电路

(1)1N4148开关二极管

  下面给出了整流负载电阻分别为10kΩ以及1kΩ情况下,输出整理信号波形。可以看到在负载为10kΩ时,输出信号的峰值比1kΩ稍微高一些(0.3V左右)。

▲ 图1.1.6 RL=10kΩ,1N4148

▲ 图1.1.6 RL=10kΩ,1N4148

▲ 图1.1.7 RL=1kΩ,1N4148

▲ 图1.1.7 RL=1kΩ,1N4148

(2)1N5817肖特基二极管

  下面是 1N5817 肖特基整流二极管高频整流波形。明显输出波形距离半波整理波形变化较大。

  在负载为10kΩ时,信号的反向出现了较大的信号。

▲ 图1.1.8 RL=10kΩ,1N5817

▲ 图1.1.8 RL=10kΩ,1N5817

▲ 图1.1.9 二极管反向动态特性

▲ 图1.1.9 二极管反向动态特性

  在负载为1kΩ时,信号反向和正向波形有所好转。

▲ 图1.1.10 RL=1kΩ,1N5817

▲ 图1.1.10 RL=1kΩ,1N5817

  根据这些测量结果,给出以下说明:
  1. 一般整流二极管,反向恢复时间约为 4 μ s 4\mu s 4μs ,除市电电源整流外不使用,端子间的电容也比SBD小;
  2. 整理SBD,端子间电容大,负载电阻不再数百欧姆以下不使用。二极管导通电压 V F V_F VF 小,频率特性好;
  3. 高速开关二极管,除了 V F V_F VF 较大以外,反向回复特性良好,数百千赫时也能够使用;
  4. 高速开关SBD, V F V_F VF 较小,在数百千赫时也能够使用,但0V时波形弯曲,端子间电容也比PN结小信号开关二极管大。

1.2 二极管的选择与使用

电路不能够处理反向恢复特性

 

§02 相理想二极管


理想二极管电路

同相理想而机关基本工作原理

▲ 图2.2.1 基本同相理想二极管

▲ 图2.2.1 基本同相理想二极管

V i n ≥ 0 V V_{in} \ge 0V Vin0V V o u t = V i n V_{out} = V_{in} Vout=Vin R 2 R_2 R2 R 2 R_2 R2
V i n ≤ 0 V V_{in} \le 0V Vin0V V o u t = 0 V V_{out} = 0V Vout=0V

▲ 图2.2.2 改良型电路

▲ 图2.2.2 改良型电路

 

§03 相理想二极管


反相理想二极管电路

▲ 图3.1.1 反相理想二极管电路

▲ 图3.1.1 反相理想二极管电路

基本工作原理

 

§04 对值电路


绝对值电路

▲ 图4.1.1 绝对值电路

▲ 图4.1.1 绝对值电路

电路工作原理

失调可调整的绝对值电路

▲ 图4.3.1 可调整失调的绝对值电路

▲ 图4.3.1 可调整失调的绝对值电路

各种绝对值电路

▲ 图4.4.1 相同电阻值构成高精度绝对值电路

▲ 图4.4.1 相同电阻值构成高精度绝对值电路

▲ 图4.4.2 高输入阻抗的绝对值电路

▲ 图4.4.2 高输入阻抗的绝对值电路


■ 相关文献链接:

● 相关图表链接:

文章来源: zhuoqing.blog.csdn.net,作者:卓晴,版权归原作者所有,如需转载,请联系作者。

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