电子线路中的二极管
§01 基础知识
1.1 基本特性
1.1.1 基本工作原理
下图中给出了二极管的电路图符号。二极管稳态流过电流 I F I_F IF 与两端电压 V D V_D VD 之间的满足单向导电特性:即从阳极(正极)到阴极(负极)施加正向电压时,有电流流通,反向几乎无电流流通。
▲ 图1.1.1 二极管的符号
V D = k T q ln ( I F I R ) V_D = {{kT} \over q}\ln \left( {{{I_F } \over {I_R }}} \right) VD=qkTln(IRIF)
式中:
q
:电子电荷( 1.603 × 1 0 − 19 1.603 \times 10^{ - 19} 1.603×10−19 C);
k
:玻尔兹曼常数( 1.381 × 1 0 − 23 J / K 1.381 \times 10^{ - 23} J/K 1.381×10−23J/K );
T
:温度(K);
IR
:反向饱和电流(A);
例如: 1SS120在 T = 25 T = 25 T=25 ℃, I F = 1 m A I_F = 1mA IF=1mA 时, V D = 0.6 V V_D = 0.6V VD=0.6V , I R = 7.166 × 1 0 − 14 A I_R = 7.166 \times 10^{ - 14} A IR=7.166×10−14A 。
▲ 图1.1.2 二极管特性
V F V_F VF :正向电压; I F I_F IF :正向电流; V R V_R VR:反向电压; I R I_R IR :反向电流
等效电阻 R O R_O RO 为: R O = d V F d I F = k T q ( − ln I R ) d ln I F d I F = k T q ( − ln I R ) 1 I F R_O = {{dV_F } \over {dI_F }} = {{kT} \over q}\left( { - \ln I_R } \right){{d\ln I_F } \over {dI_F }} = {{kT} \over q}\left( { - \ln I_R } \right){1 \over {I_F }} RO=dIFdVF=qkT(−lnIR)dIFdlnIF=qkT(−lnIR)IF1
ISS120在25℃时: R o ≈ 0.777 / I F ( Ω ) R_o \approx 0.777/I_F \left( \Omega \right) Ro≈0.777/IF(Ω) 。
下图给出了硅PN结小信号开关二极管 1SS120、 肖特基势垒二极管1SS108 的正向与反向电流电压特性。通过对比可以看到肖特基二极管(SBD)正向电压在1mA以下小电流区域非常小;硅二极管1SS120反向电流非常小可以忽略,相比起来1SS108反向电流比较大。
▲ 图1.1.3 1SS120正向与反向V-A特性
▲ 图1.1.4 1SS108正向与反向电压与电流特性
1.1.2 频率特性与用途
根据不同特性和用途二极管分为各种类型,下表给出了实验中的各种二极管特性。
序号 | 型号 | VR | IF | 用途 |
---|---|---|---|---|
1 | DSK10E | 400V | 1A | 一般整流 |
2 | ERA83-004 | 40V | 1A | 高速整流用SBD |
3 | 1SS120 | 60V | 150mA | 高速开关 |
4 | 1SS108 | 30V | 10mA | 高速开关用SBD |
按照下面电路搭建测试电路,测量相应的二极管的特性。
▲ 图1.1.5 观察二极管特性的实验电路
(1)1N4148开关二极管
下面给出了整流负载电阻分别为10kΩ以及1kΩ情况下,输出整理信号波形。可以看到在负载为10kΩ时,输出信号的峰值比1kΩ稍微高一些(0.3V左右)。
▲ 图1.1.6 RL=10kΩ,1N4148
▲ 图1.1.7 RL=1kΩ,1N4148
(2)1N5817肖特基二极管
下面是 1N5817 肖特基整流二极管高频整流波形。明显输出波形距离半波整理波形变化较大。
在负载为10kΩ时,信号的反向出现了较大的信号。
▲ 图1.1.8 RL=10kΩ,1N5817
▲ 图1.1.9 二极管反向动态特性
在负载为1kΩ时,信号反向和正向波形有所好转。
▲ 图1.1.10 RL=1kΩ,1N5817
根据这些测量结果,给出以下说明:
1. 一般整流二极管,反向恢复时间约为 4 μ s 4\mu s 4μs ,除市电电源整流外不使用,端子间的电容也比SBD小;
2. 整理SBD,端子间电容大,负载电阻不再数百欧姆以下不使用。二极管导通电压 V F V_F VF 小,频率特性好;
3. 高速开关二极管,除了 V F V_F VF 较大以外,反向回复特性良好,数百千赫时也能够使用;
4. 高速开关SBD, V F V_F VF 较小,在数百千赫时也能够使用,但0V时波形弯曲,端子间电容也比PN结小信号开关二极管大。
1.2 二极管的选择与使用
电路不能够处理反向恢复特性
§02 同相理想二极管
理想二极管电路
同相理想而机关基本工作原理
▲ 图2.2.1 基本同相理想二极管
V i n ≥ 0 V V_{in} \ge 0V Vin≥0V 时 V o u t = V i n V_{out} = V_{in} Vout=Vin; R 2 R_2 R2 R 2 R_2 R2 ;
V i n ≤ 0 V V_{in} \le 0V Vin≤0V 时 V o u t = 0 V V_{out} = 0V Vout=0V ;
▲ 图2.2.2 改良型电路
§03 反相理想二极管
反相理想二极管电路
▲ 图3.1.1 反相理想二极管电路
基本工作原理
§04 绝对值电路
绝对值电路
▲ 图4.1.1 绝对值电路
电路工作原理
失调可调整的绝对值电路
▲ 图4.3.1 可调整失调的绝对值电路
各种绝对值电路
▲ 图4.4.1 相同电阻值构成高精度绝对值电路
▲ 图4.4.2 高输入阻抗的绝对值电路
■ 相关文献链接:
● 相关图表链接:
- 图1.1.1 二极管的符号
- 图1.1.2 二极管特性
- 图1.1.3 1SS120正向与反向V-A特性
- 图1.1.4 1SS108正向与反向电压与电流特性
- 表1-1-2 试验用二极管特性
- 图1.1.5 观察二极管特性的实验电路
- 图1.1.6 RL=10kΩ,1N4148
- 图1.1.7 RL=1kΩ,1N4148
- 图1.1.8 RL=10kΩ,1N5817
- 图1.1.9 二极管反向动态特性
- 图1.1.10 RL=1kΩ,1N5817
文章来源: zhuoqing.blog.csdn.net,作者:卓晴,版权归原作者所有,如需转载,请联系作者。
原文链接:zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/122884433
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