N-MOS的G-S电容随着DS电压的变化关系

举报
tsinghuazhuoqing 发表于 2021/12/25 23:43:36 2021/12/25
【摘要】   ➤ 01 栅极-源极输入电容与DS电压 对于 MOS管 往往存在较大的输入电容。这个电容随着DS的变化关系使得它可以当做一个可变电容来使用。 下面是IRF3710的数据手册的输入电...

 

01 栅极-源极输入电容与DS电压


对于 MOS管 往往存在较大的输入电容。这个电容随着DS的变化关系使得它可以当做一个可变电容来使用。

下面是IRF3710的数据手册的输入电容与DS电压之间的关系。

▲ 输入电容与DS电压之间的关系

▲ 输入电容与DS电压之间的关系

那么实际电容变化情况是什么呢?

下面通过具实验来对其进行测试。

 

02测试方式


使用 LC100-A 电感和电容模块来读取电容的大小,并通过Zigbee串口发送到计算机。

通过DP1308可编程直流电源改变MOS的DS电压。

▲ 测量方式

▲ 测量方式

▲ 在面包板上进行测量

▲ 在面包板上进行测量

 

03测量结果


1.测量数据

▲ 输入电容与DS电压

▲ 输入电容与DS电压

v=[0.00,0.49,0.98,1.47,1.96,2.45,2.94,3.43,3.92,4.41,4.90,5.39,5.88,6.37,6.86,7.35,7.84,8.33,8.82,9.31,9.80,10.29,10.78,11.27,11.76,12.24,12.73,13.22,13.71,14.20,14.69,15.18,15.67,16.16,16.65,17.14,17.63,18.12,18.61,19.10,19.59,20.08,20.57,21.06,21.55,22.04,22.53,23.02,23.51,24.00]
c=[4988.54,4991.57,4972.37,4976.27,4856.14,4656.86,4447.72,4227.49,4077.96,3984.07,3912.53,3851.84,3809.49,3808.47,3777.29,3732.29,3725.06,3697.68,3653.80,3623.16,3605.74,3577.25,3562.56,3535.04,3535.75,3522.67,3511.84,3511.14,3501.98,3505.00,3491.59,3479.84,3487.09,3467.69,3468.37,3460.48,3453.64,3452.85,3432.65,3435.37,3443.29,3427.34,3429.94,3424.29,3428.58,3426.55,3421.70,3425.08,3417.42,3422.82]

  
 
  • 1
  • 2

2.结果分析

通过上述测量结果可以看出,电容的变化并没有数据手册给定的那么明显。这就显的比较奇怪了。

3.测量程序

#!/usr/local/bin/python
# -*- coding: gbk -*-
#============================================================
# MEASCGS.PY                   -- by Dr. ZhuoQing 2020-10-22
#
# Note:
#============================================================

from headm import *
from tsmodule.tsvisa        import *
from tsmodule.tshardware    import *

dp1308open(110)
dp1308p25v(0)
time.sleep(1)

setv = linspace(0, 24, 50)
cdim = []

for v in setv:
    dp1308p25v(v)
    time.sleep(1)

    while True:
        str = zbcmdwait(b'lc100-a', 1, .1)
        c = int(str)/100
        if c >= 2000 and c < 10000: break

    cdim.append(c)
    printff(v, c)

    tspsave('measure', v=setv, c=cdim)

dp1308p25v(3)
plt.plot(setv, cdim)
plt.xlabel("Voltage(V)")
plt.ylabel("Capacitor(pF)")
plt.grid(True)
plt.tight_layout()
plt.show()

#------------------------------------------------------------
#        END OF FILE : MEASCGS.PY
#============================================================

  
 
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18
  • 19
  • 20
  • 21
  • 22
  • 23
  • 24
  • 25
  • 26
  • 27
  • 28
  • 29
  • 30
  • 31
  • 32
  • 33
  • 34
  • 35
  • 36
  • 37
  • 38
  • 39
  • 40
  • 41
  • 42
  • 43
  • 44

 

※ 结论


通过上面实际测量的MOS晶体管GS之间的电容随着DS的电压变化关系,整体上呈现降低的趋势。

但降低的比值不像数据手册给定那么明显。

遗留的问题:

  • 原来手册中侧袋的Crss, Ciss的电容量是如何测量的呢?

■ 相关文献链接:

文章来源: zhuoqing.blog.csdn.net,作者:卓晴,版权归原作者所有,如需转载,请联系作者。

原文链接:zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/109227591

【版权声明】本文为华为云社区用户转载文章,如果您发现本社区中有涉嫌抄袭的内容,欢迎发送邮件进行举报,并提供相关证据,一经查实,本社区将立刻删除涉嫌侵权内容,举报邮箱: cloudbbs@huaweicloud.com
  • 点赞
  • 收藏
  • 关注作者

评论(0

0/1000
抱歉,系统识别当前为高风险访问,暂不支持该操作

全部回复

上滑加载中

设置昵称

在此一键设置昵称,即可参与社区互动!

*长度不超过10个汉字或20个英文字符,设置后3个月内不可修改。

*长度不超过10个汉字或20个英文字符,设置后3个月内不可修改。